Чем «тоньше» становится литографический техпроцесс, тем сложнее даётся его освоение — это касается и технических препятствий, и финансового бремени. По этой причине о сроках освоения 10-нм технологии сейчас предпочитают с разной степенью уверенности говорить лишь ведущие производители полупроводников, причём GlobalFoundries в этом смысле привязана к технологическим донорам в лице Samsung и IBM, а компания Intel пока официальных заявлений не делает, но из неофициальных источников уже известно, что к середине следующего года 10-нм процессоры Intel могут и не появиться. По крайней мере, отсутствие 10-нм процессоров Cannon Lake на рынке в 2016 году должны будут компенсировать 14-нм процессоры Kaby Lake.

Коллеги с сайта KitGuru со ссылкой на платную публикацию японского ресурса Nikkei BP сообщают, что на отраслевом мероприятии в начале прошлого месяца компания TSMC сообщила о выпуске раннего прототипа 10-нм изделия, включающего модуль с четырьмя ядрами ARM Cortex-A57. Конечно, это ещё не говорит о том, что кто-то из клиентов TSMC непременно будет выпускать процессоры с архитектурой Cortex-A57 по 10-нм технологии, просто этот прототип используется для отладки технологий и производственных процессов.

TSMC ожидает, что до конца года начнётся опытное производство реальных 10-нм изделий, а массовый выпуск будет развёрнут уже в 2016-2017 годах. Компания сочетает 10-нм техпроцесс с так называемыми FinFET-структурами. Ранее в этом году TSMC уже демонстрировала кремниевую пластину с 10-нм ячейками памяти SRAM. Конкурирующая Samsung это тоже сделала, она рассчитывает начать серийный выпуск 10-нм изделий в 2016 году. Скорее всего, первые товарные изделия с использованием 10-нм технологии будут получены уже в 2017 году.