Как известно, компания Samsung до конца года планирует развернуть массовое производство 10-нм чипов с использованием FinFET транзисторов. Важной составной частью каждого процессора является массив памяти типа SRAM. Область SRAM в составе процессора занимает порядка 30 %. При этом конструкция ячейки SRAM достаточно сложная и состоит из 4-8 транзисторов (чаще — из шести). От того, насколько производителю удастся уменьшить площадь ячейки SRAM, напрямую будет зависеть снижение себестоимости продукта в новом техпроцессе. На конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2016 компания Samsung сообщила, что по сравнению со вторым поколением 14-нм техпроцесса техпроцесс с нормами 10-нм покажет снижение площади ячейки SRAM на 38%.

Снижение 6-T ячейки на 38% — это хорошее сжатие, которое даст свой эффект. Следует уточнить, что эффект сжатия справедлив для цепей с упором на плотность размещения транзисторов. Если говорить о размерах ячейки для высокопроизводительных процессоров (для которых плотностью можно пожертвовать), то площадь ячейки осталась на уровне предыдущего 14-нм техпроцесса, хотя сама ячейка претерпела изменения. Из-за проблем со снижением норм техпроцесса в цепи ячейки SRAM для выпуска в рамках 10-нм литографии пришлось внести дополнительные элементы. Также в Samsung отметили отсутствие прогресса в деле снижения внутреннего сопротивления ячейки, что ограничит рабочие характеристики SRAM.

Впрочем, о рабочих характеристиках представленного опытно 128-Мбит чипа SRAM говорить преждевременно. Пока это только цифровой проект, которому ещё предстоит выйти в кремнии. Но площадь уже можно подсчитать, да. Отдельно Samsung подчёркивает, что 10-нм техпроцесс будет 10-нм во всём — в разводке в слоях металлизации, в межслойных соединениях, в толщине проводников и в прочем. Иначе говоря, история с натягиванием 14/16-нм FinFET транзисторов на разводку в рамках 20-нм техпроцесса больше не повторится. И ещё, в интервью источнику Samsung уверяет, что у него такой же честный 14-нм техпроцесс, а вот у TSMC всё не так. Там «химичат».